物理の最新情報 ： 【IEDM 2007レポート】次 世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向

　半導体メモリでは1個のメモリセルに通常、2個の値を記憶する。論理レベルの高レベルあるいは低レベル、データ値の1あるいは0に相当する。言い換えると、1個のメモリセルに1bitのデータを記憶していることになる。

　マルチレベルとは、1個のメモリセルに3個以上のレベルを記憶させることを意味する。例えば4個のレベルを記憶させれば、1個のメモリセルに2bitのデータを蓄えることになる。当然ながら1bitを記憶するときに比べるとメモリセル当たりの記憶容量が2倍に増える。結果としてメモリチップ全体でも記憶容量が2倍に増大する。

　マルチレベルの記憶方式は、NANDフラッシュメモリで製品に使われ始めた。現在、NANDフラッシュメモリの大容量品では1個のメモリセルに2bitを記憶する方式が主流になっている。今後は、1個のメモリセルに3bitあるいは4bitを記憶するNANDフラッシュメモリも市販されると期待される。



　NAND
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●相変化型メモリの記憶素子1個に4bitを書き込む

　IBMとQimonda、Macronix Internationalは、相変化型メモリ(phase change memory)の共同研究プロジェクト「PCRAM Joint Project」を進めている。研究プロジェクトの一環としてマルチレベル記憶方式を手掛けており、その成果をIEDM 2007で披露した(講演番号17.5)。

　相変化型メモリとは、カルコゲナイドと呼ばれる合金材料が結晶状態と非晶質状態(アモルファス状態)の2つの状態を行き来する(相変化する)性質を利用したメモリである。合金材料に電流を加えることで相変化を起こす。結晶状態では電気抵抗が低く、アモルファス状態では電気抵抗が高い。電気抵抗率換算では、両者の違いは3桁～5桁にもなる...ニュー
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（引用 yahooニュース：h!
ttp://he
adlines.yahoo.co.jp/hl?a=20071214-00000023-imp-sci）